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HGTG10N120BN分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG10N120BN
廠商型號

HGTG10N120BN
參數屬性

HGTG10N120BN 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產品描述：IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
功能描述

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
文件大小

81.67 Kbytes
頁面數量

7 頁
生產廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-1 22:58:00

HGTG10N120BN規(guī)格書詳情

The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor.

Features

? 35A, 1200V, TC = 25oC

? 1200V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150oC

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Avalanche Rated

? Thermal Impedance SPICE Model

?? Temperature Compensating SABER? Model

?? www.intersil.com

? Related Literature

?? - TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

????? Components to PC Boards

產品屬性

  • 產品編號：

    HGTG10N120BND

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，10A

  • 開關能量：

    850μJ（開），800μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    23ns/165ns

  • 測試條件：

    960V，10A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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