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HGTD7N60C3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
HGTD7N60C3 |
參數(shù)屬性 | HGTD7N60C3 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A TO252AA |
功能描述 | 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
153.51 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Harris Corporation |
企業(yè)簡稱 |
HARRIS |
中文名稱 | Harris Corporation |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-5-22 17:37:00 |
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HGTD7N60C3規(guī)格書詳情
Description
The HGTD7N60C3, HGTD7N60C3S and HGTP7N60C3 are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC.
The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.
Features
? 14A, 600V at TC = 25°C
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C
? Short Circuit Rating
? Low Conduction Loss
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
HGTD7N60C3S9A
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,7A
- 開關(guān)能量:
165μJ(開),600μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-252AA
- 描述:
IGBT 600V 14A TO252AA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCH |
23+ |
TO-252 |
9960 |
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詢價(jià) | ||
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24+ |
TO-252 |
6000 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
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HARRIS |
23+ |
TO-252 |
30000 |
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1983 |
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