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HGTG11N120CND分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
HGTG11N120CND |
參數(shù)屬性 | HGTG11N120CND 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 1200V 43A TO247-3 |
功能描述 | NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | TO-247 / TO-247-3 |
文件大小 |
437.08 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-26 16:42:00 |
HGTG11N120CND規(guī)格書詳情
HGTG11N120CND屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的HGTG11N120CND晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
HGTG11N120CND
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類型:
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.4V @ 15V,11A
- 開關(guān)能量:
950μJ(開),1.3mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
23ns/180ns
- 測試條件:
960V,11A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
589220 |
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量 |
詢價 | ||||
ON/安森美 |
21+ |
TO-247(AC) |
8080 |
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詢價 | ||
F |
23+ |
SOP |
3200 |
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FAIRCHIL |
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TO-247 |
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ON/安森美 |
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TO-247 |
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ON/安森美 |
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SMD |
9000 |
原裝正品 |
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ON/安森美 |
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TO247 |
16500 |
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