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HGTD7N60C3S 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    HGTD7N60C3S

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    505348

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-22 17:06:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：HGTD7N60C3S品牌：ON/安森美

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HGTD7N60C3S是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-252/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的HGTD7N60C3S晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    HGTD7N60C3S

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    HARRIS詳情

  • 廠商全稱：

    Harris Corporation

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    153.51 kb

  • 資料說(shuō)明：

    14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    HGTD7N60C3S9A

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，7A

  • 開關(guān)能量：

    165μJ（開），600μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252AA

  • 描述：

    IGBT 600V 14A TO252AA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82767689

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503

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