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HGTD1N120BNS9A 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

HGTD1N120BNS9AHGTD1N120BNS9A參考圖片

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  • 廠家型號：

    HGTD1N120BNS9A

  • 產品分類：

    芯片

  • 生產廠商：

    ON

  • 庫存數量：

    70000

  • 產品封裝：

    N/A

  • 生產批號：

    2024+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢庫存

  • 更新時間：

    2025-2-22 13:28:00

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原廠料號：HGTD1N120BNS9A品牌：ON

柒號只做原裝 現貨價秒殺全網

HGTD1N120BNS9A是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產封裝N/A/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的HGTD1N120BNS9A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    HGTD1N120BNS9A

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    FAIRCHILD【仙童半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導體公司

  • 內容頁數：

    8 頁

  • 文件大?。?/span>

    96.46 kb

  • 資料說明：

    5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

產品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產品編號：

    HGTD1N120BNS9A

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，1A

  • 開關能量：

    70μJ（開），90μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    15ns/67ns

  • 測試條件：

    960V，1A，82 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應商器件封裝：

    TO-252AA

  • 描述：

    IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

供應商

  • 企業(yè)：

    柒號芯城電子商務(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯系人：

    連小若

  • 手機：

    18922805453

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83663056

  • 傳真：

    0755-83209937

  • 地址：

    福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓

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