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HFU630A	文件：407.21 Kbytes Page：8 Pages	200V N-Channel MOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HFU630A_16	文件：408.55 Kbytes Page：8 Pages	200V N-Channel MOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HIRF630	文件：53.3 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETs	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC
HM630	文件：1.50981 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HS-630	文件：297.5 Kbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillators	NEL Nel Frequency Controls,inc	NEL
I630	文件：53.8 Kbytes Page：3 Pages	5mmx7mmCeramicPackageSMDVCXO,LVCMOS/LVPECL/LVDS	ILSI ILSI America LLC	ILSI
I630	文件：1.35377 Mbytes Page：11 Pages	9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
IIRF630N	文件：339.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPC-630	文件：577.13 Kbytes Page：2 Pages	NewGeneration4U15-SlotRackmountChassis	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研華科技研華科技（中國(guó)）有限公司	ADVANTECH
IRC630	文件：229.76 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=9.0A)	IRF International Rectifier	IRF
IRC630PBF	文件：1.17749 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPOWERMOSFET HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630	文件：97.84 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
IRF630	文件：104.75 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL200V-0.35ihm-9A-TO-220/FPMESHOVERLAY]MOSFET Description ThispowerMOSFETisdesignedusingthecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAY?process.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwithstandardpartsfromvarioussources. Generalfeatures ■Extremelyhighdv/dtcapability ■Verylowintrinsic	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF630	文件：62.35 Kbytes Page：7 Pages	9A,200V,0.400Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF630	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF630	文件：190.54 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.25? ■AVALANCERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACHTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHSPEEDSWITCHING ■UNINTERRUPTIBLEPOWERSUPPLY(UPS) ■MOTORCO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
IRF630	文件：141.99 Kbytes Page：1 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET VDSS=200V,RDS(on)=0.40ohm,ID=9.0A	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF630	文件：137 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆Dynamicdv/dtRating ◆RepetitiveAvalancheRated ◆FastSwitching ◆EaseofParalleling ◆SimpleDrive	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF630	文件：94.84 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220andpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-ACconvert	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
IRF630	文件：336.19 Kbytes Page：14 Pages	N-channel200V-0.35廓-9ATO-220/TO-220FPMeshoverlay??IIPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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更多HFU630A供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-26 9:41:00

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