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I630中文資料東海半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào)	I630
功能描述	9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
絲印標(biāo)識(shí)	I630
封裝外殼	TO-251
文件大小	1.35377 Mbytes
頁面數(shù)量	11 頁
生產(chǎn)廠商	Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd
企業(yè)簡稱	WXDH【東海半導(dǎo)體】
中文名稱	江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二
更新時(shí)間	2025-1-13 18:12:00

1 Description

These N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by

the self-aligned planar technology which reduce the

conduction loss, improve switching performance and

enhance the avalanche energy. Which accords with the

RoHS standard.

2 Features

● Fast Switching

● Low ON Resistance(Rdson≤0.4Ω)

● Low Gate Charge(Typical Data:22nC)

● Low Reverse Transfer Capacitances(Typical:22pF)

● 100 Single Pulse Avalanche Energy Test

● 100 ΔVDS Test

3 Applications

● High efficiency switch mode power supplies.

● Electronic lamp ballasts based on half bridge.

● UPS

● Inverter

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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