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IRF630中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IRF630
廠商型號(hào)

IRF630
功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
文件大小

190.54 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-1 23:00:00
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IRF630規(guī)格書詳情

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

■ TYPICAL RDS(on) = 0.25 ?

■ AVALANCE RUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100 °C

■ APPLICATION ORIENTED CHARACHTERIZATION

APPLICATIONS

■ HIGH SPEED SWITCHING

■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ iNDUSTRIAL ACTUATORS

■ DC-DC & DC-AC COVERTERS FOR TELECOM,

INDUSTRIAL AND CONSUMER ENVIRONMENT.

■ PARTICULARLY SUITABLE FOR ELECTRONIC

FLUORESCENT LAMP BALLASTS

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    IRF630

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
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