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GT40Q323

DiscreteIGBTs

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

GT40Q323

SiliconNChannelIGBTVoltageResonanceInverterSwitchingApplication

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號:

    GT40Q323(Q)

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 IGBT 1200V 39A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA
2016+
ROHS
5632
只做進口原裝正品!現(xiàn)貨或者訂貨一周貨期!只要要網(wǎng)上有
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TOSHIBA
11+
1312
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
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強茂
2020+
TO-3P
210000
100%進口原裝正品公司現(xiàn)貨庫存
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TOSHIBA
18+
TO-3P
85600
保證進口原裝可開17%增值稅發(fā)票
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TOSHIBA
2020+
TO-3P
80000
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TOSHIBA/東芝
24+
30000
原裝現(xiàn)貨
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TOSHIBA/東芝
23+
TO247
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全新原裝現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢
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TO-3P
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TOSHIBA/東芝
2021+
TO-3P
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TOSHIBA/東芝
21+
TO-3P
20
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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更多GT40Q323(Q)供應商 更新時間2024-12-27 14:05:00