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GT40QR21(STA1,E,D

包裝：管件 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

40QR21

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

Features 1.6.5thgeneration 2.TheRC-IGBTconsistsofafreewheelingdiodemonolithicallyintegratedinanIGBTchip. 3.Enhancementmode 4.High-speedswitching IGBT:tf=0.20μs(typ.)(IC=40A) FWD:trr=0.60μs(typ.)(IF=15A) 5.Lowsaturationvoltage:VC

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

GT40QR21

DiscreteIGBTsSiliconN-ChannelIGBT

Features 1.6.5thgeneration 2.TheRC-IGBTconsistsofafreewheelingdiodemonolithicallyintegratedinanIGBTchip. 3.Enhancementmode 4.High-speedswitching IGBT:tf=0.20μs(typ.)(IC=40A) FWD:trr=0.60μs(typ.)(IF=15A) 5.Lowsaturationvoltage:VC

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    GT40QR21(STA1,E,D

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，40A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    -，290μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 測(cè)試條件：

    280V，40A，10 歐姆，20V

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P（N）

  • 描述：

    DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
TOSHIBA
21+
TO-3P
2000
原裝優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨 歡迎咨詢
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
21+
TO-3P
5590
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價(jià)
TOSHIBA
21+
N/A
2500
進(jìn)口原裝,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
22+
TO-3P
14100
原裝正品
 詢價(jià)
TOSHIBA
22+
SMD
25000
詢價(jià)
TOSHIBA
5
詢價(jià)
24+
N/A
76000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)
TI
24+
SMD
2
C33-外殼
 詢價(jià)
TOSHIBA
24+
con
10000
查現(xiàn)貨到京北通宇商城
 詢價(jià)
TOSHIBA
24+
con
2500
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存,原裝正品
 詢價(jià)
更多GT40QR21(STA1,E,D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 14:00:00

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