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FGB30N6S2DT	文件：287.27 Kbytes Page：12 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode GeneralDescription TheFGH30N6S2D,FGP30N6S2D,andFGB30N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatechargeandplateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGB30N6S2T	文件：179.31 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT GeneralDescription TheFGH30N6S2,FGP30N6S2,andFGB30N6S2areLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatechargeandplateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andreduc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH30N6S2	文件：179.31 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT GeneralDescription TheFGH30N6S2,FGP30N6S2,andFGB30N6S2areLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatechargeandplateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andreduc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH30N6S2	文件：259.31 Kbytes Page：11 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH30N6S2	文件：177.95 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT GeneralDescription TheFGH30N6S2,FGP30N6S2,andFGB30N6S2areLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatechargeandplateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andreduc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH30N6S2D	文件：281.66 Kbytes Page：12 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthTMDiode GeneralDescription TheFGH30N6S2D,FGP30N6S2D,andFGB30N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatechargeandplateauvoltageandavalanchecapability(UIS).TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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詳細參數(shù)

型號：
FGB30N6S2DT
功能描述：
IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
650 V
集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
C的連續(xù)集電極電流：
150 A
柵極—射極漏泄電流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封裝/箱體：
TO-247
封裝：
Tube

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更多FGB30N6S2DT供應商更新時間2024-12-22 18:10:00

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