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FGP30N6S2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGP30N6S2
廠商型號(hào)

FGP30N6S2

參數(shù)屬性

FGP30N6S2 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 45A 167W TO220AB

功能描述

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

177.95 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-11 17:17:00

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FGP30N6S2規(guī)格書詳情

General Description

The FGH30N6S2, FGP30N6S2, and FGB30N6S2 are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive.

Features

? 100kHz Operation at 390V, 14A

? 200kHZ Operation at 390V, 9A

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 125°CC

? Low Gate Charge . . . . . . . . . 23nC at VGE = 15V

? Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical

? UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mJ

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGP30N6S2

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,12A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    55μJ(開(kāi)),100μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    6ns/40ns

  • 測(cè)試條件:

    390V,12A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220-3

  • 描述:

    IGBT 600V 45A 167W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FSC
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NA
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只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來(lái)電查詢15919825718
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