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IIRL3803V

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Combinewiththefastswitchingspeedandruggedizeddevice design,providethedesignerwithanextremelyefficientand reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications. ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.5m? ?Enhancementmode ?Fa

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRL3803

PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.006ohm,Id=140A??

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p

IRF

International Rectifier

IRL3803

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6m? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRL3803L

PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.006ohm,Id=140A??

Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides

IRF

International Rectifier

IRL3803LPBF

HEXFET?PowerMOSFET

Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides

IRF

International Rectifier

IRL3803LPBF

AdvancedProcessTechnology

Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides

IRF

International Rectifier

IRL3803PBF

HEXFET?PowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRL3803PBF

ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY

IRF

International Rectifier

IRL3803PBF

IRMOSFET?

Description FifthGenerationHEXFETsutilizeadvancedprocessing techniquestoachieveextremelylowon-resistancepersilicon area.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedand ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsare wellknownfor,providesthedesignerwithanex

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IRL3803S

PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.006ohm,Id=140A??

Description FifthGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswichingspeedandurggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provides

IRF

International Rectifier

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FG3803

  • 制造商：

    TE Connectivity Laird

  • 類(lèi)別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > RF 天線

  • 包裝：

    散裝

  • 頻率組：

    UHF（300MHz ~ 1GHz）

  • 頻率（中心/帶）：

    385MHz

  • 頻率范圍：

    380MHz ~ 390MHz

  • 天線類(lèi)型：

    鞭狀，直形

  • VSWR：

    2

  • 增益：

    3dBd

  • 端接：

    N 型母頭

  • 安裝類(lèi)型：

    支架安裝

  • 高度（最大值）：

    44.000"（111.76cm）

  • 描述：

    RF ANT 385MHZ WHIP STR N FEM 44\

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
LAIRD
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更多FG3803供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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