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FDB029N06

N-ChannelPowerTrench?MOSFET60V,193A,3.1mW

Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Features ?RDS(on)=2.4m?(Typ.)@VGS=10V,ID=75A ?FastSwitc

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IIPP029N06N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA029N06N

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPA029N06N

Superiorthermalresistance

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI029N06N

NewOptiMOS??40Vand60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPI029N06N

OptiMOSTMPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP029N06N

NewOptiMOS??40Vand60V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP029N06N

MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP029N06N

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

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更多FDB029N06MOS供應(yīng)商 更新時間2025-1-18 14:02:00