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FCP165N65S3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=165mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTP165N65S3H

MOSFET-Power,N??hannel,SUPERFETIII,FAST

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTPF165N65S3H

MOSFET-Power,N??hannel,SUPERFETIII,FAST650V,165m,19A

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多FCP165N65S3-LO供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-7 8:00:00