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FCB070N65S3

MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 44 A, 70 m

Description SUPERFETIIIMOSFETisONSemiconductor’sbrand?newhigh voltagesuper?junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon?resistanceandlowergate chargeperformance.Thisadvancetechnologyistailoredtominimize conductionloss,prov

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FCB070N65S3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=44A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=70mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NTBL070N65S3

MOSFET-Power,N-Channel,SUPERFETIII,Easy-drive650V,70m,44A

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多FCB070N65S3供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-6 16:19:00

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