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FCB260N65S3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FCB260N65S3

MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FCD260N65S3

MOSFET??Power,N-Channel,SUPERFETIII,EasyDrive

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FCD260N65S3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FCP260N65S3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

NVB260N65S3

MOSFET??Power,N-Channel,SUPERFETIII,Automotive,Easy-drive

ONSEMION Semiconductor

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NVD260N65S3

MOSFET??Power,N-Channel,SUPERFETIII,EasyDrive650V,260m,12A

Features ?UltraLowGateCharge&LowEffectiveOutputCapacitance ?LowerFOM(RDS(on)max.xQgtyp.&RDS(on)max.xEOSS) ?100AvalancheTested ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FCB260N65S3供應商 更新時間2024-11-6 16:19:00

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