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DAM30N60C	文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DAM30N60F	文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DAM30N60S	文件：242.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
FGA30N60LSD	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsandbipolartransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGA30N60LSDTU	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsandbipolartransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGH30N60LSD	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGH30N60LSDTU	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGW30N60VD	文件：656.97 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/30A	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社	Fuji
G30N60	文件：178.25 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4combinesthebestfeaturesofhighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.ThisIGBTisidealformanyhighvoltageswitchingapplicationsoperatingathighfrequencieswherelowconductionlossesareessential.Thisdevicehasbeen	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
G30N60	文件：221.78 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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