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零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
CET6601	文件：391.17 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CET6601	文件：601.18 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-4.3A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CET6601A	文件：504.34 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-4.4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6601	文件：358.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU6601	文件：990.14 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CEU6601A	文件：428.04 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZC6601A	文件：941.71 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-13.5A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHM6601JPT	文件：212.92 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE60VoltsCURRENT4.3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitchi	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CJL6601	文件：803.2 Kbytes Page：2 Pages	P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJQ6601	文件：3.87754 Mbytes Page：6 Pages	N-channelandP-channelComplementaryMOSFETS	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
DMG6601LVT	文件：404.8 Kbytes Page：10 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG6601LVT	文件：9.6704 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET ProductSummary N-Channel Vps=30V,Ip=4A Ros(on)30mQ@Ves=10V(Typ) Ros(on)50mQ@Ves=-4.5V(Typ) P-Channel Vos=-30V,Ip=3A Ros(on)45mQ@Ves=-10V(Typ) Rosion)85mQ@Ves=-4.5V(Typ)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
E6601A	文件：379.62 Kbytes Page：9 Pages	CalibrationandAdjustmentSoftwareforAgilentRF/WInstruments	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷倫科技安捷倫科技有限公司	HP
EFC6601R	文件：422.24 Kbytes Page：8 Pages	Lithium-ionbatterycharginganddischargingswitch Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會社	SANYO
EFC6601R	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
EFC6601R-TR	文件：324.45 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FP6601Q	文件：491.98 Kbytes Page：8 Pages	USBDedicatedChargingPortControllerforFastChargingProtocolandQC2.0/3.0	FITIPOWERFitipower Integrated Technology Inc. 天鈺科技天鈺科技股份有限公司	FITIPOWER
FTK6601S	文件：480.35 Kbytes Page：5 Pages	P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HIP6601	文件：234.1 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6601	文件：84.68 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601andHIP6603arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP630xMulti-PhaseBuckPWMcontrollera	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CET6601	CET/華瑞	20+	SOT-223	120000	原裝正品可含稅交易	詢價
深圳市富利微電子科技有限公司	CET6601	CET/華瑞	23+	SOT-223	33500	全新進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一罰十	詢價
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	CET6601	CET/華瑞	24+	SOT223	7906200	一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	CET6601	CET/華瑞	23+	SOT-223	100	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	CET6601	CET	19+	SOT-223	67800	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
深圳兆威電子有限公司	CET6601	CET	23+	SOT-223	84354	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市納艾斯科技有限公司	CET6601	VBsemi	2020+	SOP-8	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	CET6601	VBsemi/臺灣微碧	21+	SOP-8	10786	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	CET6601	CET/華瑞	23+	SOT-223	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CET6601	CET/華瑞	23+	SOT-223	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價

更多CET6601供應(yīng)商更新時間2024-12-28 14:00:00

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