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CEN1320-BK	文件：723.07 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT PNP SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS: ?Motorcontrol ?Loadswitches ?Displaydrives ?Relaydrives FEATURES: ?HighVoltage(140V)?HighThermalEfficiency ?HighCurrent(5.0A)?3x3mmTLM?case ?LowVCE(SAT) (420mVMAX@4.0A)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
CEN1320-TR	文件：723.07 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT PNP SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS: ?Motorcontrol ?Loadswitches ?Displaydrives ?Relaydrives FEATURES: ?HighVoltage(140V)?HighThermalEfficiency ?HighCurrent(5.0A)?3x3mmTLM?case ?LowVCE(SAT) (420mVMAX@4.0A)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
CEN1372-BK	文件：723.07 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT PNP SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS: ?Motorcontrol ?Loadswitches ?Displaydrives ?Relaydrives FEATURES: ?HighVoltage(140V)?HighThermalEfficiency ?HighCurrent(5.0A)?3x3mmTLM?case ?LowVCE(SAT) (420mVMAX@4.0A)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
CEN1372-TR	文件：723.07 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT PNP SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS: ?Motorcontrol ?Loadswitches ?Displaydrives ?Relaydrives FEATURES: ?HighVoltage(140V)?HighThermalEfficiency ?HighCurrent(5.0A)?3x3mmTLM?case ?LowVCE(SAT) (420mVMAX@4.0A)	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
CEN2301	文件：550.11 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-2.7A,RDS(ON)=110mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=160mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2301A	文件：926.25 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-3A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2306A	文件：667.9 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V,4.1A,RDS(ON)=45mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=55mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant. RDS(ON)=110mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307A	文件：649.55 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307B	文件：485.15 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307BB	文件：536.15 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-3.4A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=108mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2310L	文件：911.11 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V,4.8A,RDS(ON)=34mW@VGS=10V. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=45mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2315	文件：923.36 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V,-4A,RDS(ON)=50mW@VGS=-10V. RDS(ON)=85mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2321A	文件：622.72 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=80mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2321B	文件：431.12 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-3.9A,RDS(ON)=52mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=72mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2333	文件：423.08 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -20V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=110mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant. RDS(ON)=150mW@VGS=-1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2362	文件：930.07 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,3A,RDS(ON)=80mW@VGS=10V. RDS(ON)=100mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2364	文件：428.25 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,2.5A,RDS(ON)=110mW@VGS=10V. RDS(ON)=130mW@VGS=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2365	文件：268.21 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V,-2A,RDS(ON)=160mW@VGS=-10V. RDS(ON)=208mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN7002A	文件：137.35 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■60V,0.25A,RDS(ON)=3?@VGS=10V. RDS(ON)=4?@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23-Tpackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEN7002A	文件：888.18 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,0.25A,RDS(ON)=3W@VGS=10V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. Leadfreeproductisacquired. RDS(ON)=4W@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市柯爾基電子有限公司	CEN2222A	ST	23+24	TO-18	29850	原裝原盤原標(biāo).保證每一片都來自原廠	詢價
深圳市佳杰偉業(yè)科技有限公司	CEN2222A	ST	2315+	TO-18	3868	優(yōu)勢代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨	詢價
深圳市振宏微科技有限公司	CEN2301	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!	詢價
深圳兆威電子有限公司	CEN2301	CET	23+	SOT-23-T	63000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	CEN2301	原裝CET	2023+	SOT-23	80000	一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價
深圳市鼎欣微電子有限公司	CEN2301	CET/華瑞	21+	SOT-23	30100	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CEN2301	CET/華瑞	23+	SOT-23	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CEN2301	SK	22+	SOT-23	52800	原裝正品	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	CEN2301	CET/華瑞	23+	SOT-23T	294678	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CEN2301	CET/華瑞	20+	SOT-23	120000	只做原裝可免費提供樣品	詢價

更多CEN供應(yīng)商更新時間2025-1-13 10:18:00

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