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CEC8218中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEC8218
廠商型號

CEC8218

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

758.46 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2024-10-24 18:07:00

CEC8218規(guī)格書詳情

FEATURES

20V, 7A, RDS(ON) = 20mW @VGS = 4.5V.

RDS(ON) = 28mW @VGS = 2.5V.

Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

Lead free product is acquired.

RDS(ON) = 48mW @VGS = 1.8V.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CEC8218

  • 制造商:

    CET

  • 制造商全稱:

    Chino-Excel Technology

  • 功能描述:

    Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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