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BUR51

HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheBUR51isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorinmodifiedJedecTO-3metalcase,intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPE ■NPNTRANSISTOR

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

BUR51

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

BUR51

包裝:剪切帶(CT)帶盒(TB) 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS NPN 200V 60A TO3

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

BUR51S

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

晶體管資料

  • 型號:

    BUR51

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    300V

  • 最大電流允許值:

    60A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    350W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    60

  • wtest:

    350

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BUR51

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.5V @ 5A,50A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 5A,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    16MHz

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    TO-204AA,TO-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 60A TO3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO-3
10000
全新
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TO-3
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更多BUR51供應商 更新時間2024-12-25 10:20:00