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BUR52

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=250V(Min) ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=25A APPLICATIONS ?Designedforswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BUR52

HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS

TheBUR52isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorinmodifiedjedecTO-3metalcase, Intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

BUR52

HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheBUR52isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorsinmodifiedJedecTO-3metalcase,intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. ■NPNTRANSISTOR ■MAINTAINSGOODSWITCHINGPERFORMANCEEVENWITHOUTNEGATIVEBASEDRIVE APPLI

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

BUR52

HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheBUR52isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorsinmodifiedJedecTO-3metalcase,intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPE ■NPNTRANSISTOR ■MAINTAINSGOODSWITCHINGPERFORMANCEEVEN

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

BUR52

HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS

LINEARANDSWITCHINGINDUSTRIALEQUIPMENT TheBUR52isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorinmodifiedjedecTO-3metalcase, Intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

BUR52

HIGH CURRENT NPN SILICON

SEME-LAB

Seme LAB

BUR52_12

HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS

TheBUR52isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorinmodifiedjedecTO-3metalcase, Intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

BUR52S

HIGH CURRENT NPN SILICON

SEME-LAB

Seme LAB

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BUR52

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
24+
TO-3
10000
全新
 詢價
ST
24+
TO-3
200
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
ST
23+
CAN
9680
價格優(yōu)勢、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來電查詢
 詢價
ST意法
21+
CAN
12588
原裝正品,量大可定
 詢價
SGS
23+
2158
詢價
ST
2013
CAN
30
全新
 詢價
SEMELAB
2447
TO-3
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
 詢價
ST(意法)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經驗原裝進口正品做服務做口碑有支持
 詢價
ST/ON
23+
TO-3
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
ST/ON
23+
TO-3
7300
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
更多BUR52供應商 更新時間2025-6-11 16:01:00

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