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BUV61

HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION TheBUV61isaMulti-EpitaxialplanarNPNtransistorinTO-3metalcase. Itisintentedforuseinhighfrequencyandefficiencyconverterssuchusmotorcontrollersandindustrialequipment. ■NPNTRANSISTOR ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■FASTSWITCHINGSPEED ■FULLYCHARACTERIZED

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

BUV61

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?HighCurrentCapability ?Fullycharacterizedat125℃ ?Fastswitchingspeed ?Motorcontrol APPLICATIONS ?Intentedforuseinhighfrequencyandefficiency converterssuchusmotorcontrollersandindustrial equipment.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUV61

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

晶體管資料

  • 型號：

    BUV61

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    300V

  • 最大電流允許值：

    50A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BUR51,BUR52,

  • 最大耗散功率：

    250W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    300

  • htest：

    999900

  • atest：

    50

  • wtest：

    250

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BUV61

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT Hi Pwr NPN Silicon Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO-3
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23+
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7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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更多BUV61供應(yīng)商 更新時間2025-3-16 16:30:00

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