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CED630N

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

CED630N

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 200V,7.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEDF630

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●200V,9A,RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEF630N

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEF630N

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEFF630

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEFF630

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEFF630B

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEIF630B

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEP630N

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BUD630

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    開關管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    700V

  • 最大電流允許值：

    6A

  • 最大工作頻率：

    >4MHZ

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    40W

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    A-80

  • vtest：

    700

  • htest：

    4000100

  • atest：

    6

  • wtest：

    40

詳細參數

  • 型號：

    BUD630

  • 功能描述：

    TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-251

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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NA
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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十年配單,只做原裝
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只做原裝進口現貨,專注配單
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更多BUD630供應商 更新時間2025-4-1 17:22:00

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