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CED630N中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
CED630N |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
611.08 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | CET-MOS Technology Corp. |
企業(yè)簡稱 |
CET-MOS【華瑞】 |
中文名稱 | 華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-4-7 20:49:00 |
人工找貨 | CED630N價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
CED630N規(guī)格書詳情
FEATURES
200V, 7.5A, RDS(ON) = 0.36W @VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
TO-251 & TO-252 package.
Lead free product is acquired.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
CED630N
- 制造商:
CET
- 制造商全稱:
Chino-Excel Technology
- 功能描述:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CET/華瑞 |
24+ |
NA/ |
27336 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
CET/華瑞 |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
VBsemi |
21+ |
TO251 |
10010 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
CET |
1822+ |
TO-251 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
CET |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
CET |
25+ |
TO-251 |
360 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) | ||
CET |
TO-251 |
50000 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
VBSEMI/微碧半導(dǎo)體 |
22+ |
TO251 |
10000 |
臺(tái)積電晶圓長電封裝微碧原裝可長久供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
CET |
23+ |
TO-251 |
28000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
CET |
2020+ |
TO-251 |
4500 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) |