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CED630N	文件：611.08 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 200V,7.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED630N	文件：398.48 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED630N	文件：1.73292 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEDF630	文件：502.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●200V,9A,RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEF630N	文件：375.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEF630N	文件：596.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEFF630	文件：490.22 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEFF630	文件：383.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEFF630B	文件：86.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEIF630B	文件：86.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEP630N	文件：375.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CEPF630	文件：506.98 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
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CEPF630B	文件：86.39 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole. Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU630N	文件：398.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEU630N	文件：1.89636 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
CEU630N	文件：611.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 200V,7.5A,RDS(ON)=0.36W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEUF630	文件：502.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●200V,9A,RDS(ON)=400mΩ@VGS=10V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandlingcapability. ●TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CHM630PAPT	文件：201.23 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
CED630N
制造商：
CET
制造商全稱：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市明嘉萊科技有限公司	CED630N	CET/華瑞	24+	TO-251	156537	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市航潤創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	CED630N	CET	21+	TO-251	100	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	CED630N	C	23+	TO-251	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	CED630N	VBsemi	23+	TO251	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CED630N	CET/華瑞	2022+	TO-251	50000	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	CED630N	C	23+	TO-251	6000	原裝正品，支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CED630N	VBsemi	21+	TO251	10010	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	CED630N	VBsemi	2236+	TO251	3570	一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CED630N	CET/華瑞	2022+	TO-251	30000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝假一罰十	詢價(jià)
深圳市宏興瑞科技有限公司	CED630N	VBsemi	23+	原裝正品現(xiàn)貨	10000	TO251	詢價(jià)

更多CED630N供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 17:12:00

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