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BSP110	文件：75.69 Kbytes Page：12 Pages	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaminiatureSOT223envelopeanddesignedforuseintelephoneringercircuitsandforapplicationinrelay,high-speedandlinetransformerdrivers. FEATURES ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching ?No	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSP110	文件：977.65 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?175°CMaximumJunctionTemperature ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
BSP110	文件：374.02 Kbytes Page：14 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: BSP110inSOT223. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSurfacemountpackage. 3.Applications nRela	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司	NEXPERIA
BSR110FE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110GE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110JE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110KE	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSR110ME	文件：167.87 Kbytes Page：4 Pages	ThickFilm2512SurgeResistors	BITECHBi technologies 瑞谷拜特上海瑞谷拜特軟件技術(shù)有限公司	BITECH
BSS110	文件：76.96 Kbytes Page：9 Pages	P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES ?Lowthresholdvoltage ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ?IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorin telepho	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSS110	文件：80.51 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(PchannelEnhancementmodeLogicLevel) SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Pchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=-0.8...-2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BSS110	文件：285.09 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisdesignedtominimizeon-stateresistance,provideruggedandreliableperformanceandfastswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BT110S	文件：347.47 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BTS110	文件：320.67 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BTS110	文件：560.58 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(N-channelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS110	文件：331.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BUZ110S	文件：122.28 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BUZ110S	文件：139.69 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS?PowerTransistor SIPMOSPowerTransistor ProductSummary DrainsourcevoltageVDS55V Drain-Sourceon-stateresistanceRDS(on)0.01? ContinuousdraincurrentID80A Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BUZ110SL	文件：121.06 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BV-SMAJ110A	文件：159.7 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMAJ110CA	文件：159.7 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BSP110
制造商：
PHILIPS
制造商全稱：
NXP Semiconductors
功能描述：
N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BSP110	NXP(恩智浦)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	14048	全新原裝正品/價(jià)格優(yōu)惠/質(zhì)量保障	詢價(jià)
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	BSP110	NXP/恩智浦	24+	SOT223	7906200	一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系	詢價(jià)
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深圳市勤思達(dá)科技有限公司	BSP110	NXP	12+	SOT223	15000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
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更多BSP110供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 23:00:00

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