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BSS110	文件：76.96 Kbytes Page：9 Pages	P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES ?Lowthresholdvoltage ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ?IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorin telepho	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSS110	文件：80.51 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level) SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Pchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=-0.8...-2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BSS110	文件：285.09 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisdesignedtominimizeon-stateresistance,provideruggedandreliableperformanceandfastswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
BT110S	文件：347.47 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BTS110	文件：320.67 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BTS110	文件：560.58 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(N-channelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BTS110	文件：331.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BUZ110S	文件：122.28 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BUZ110S	文件：139.69 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOS?PowerTransistor SIPMOSPowerTransistor ProductSummary DrainsourcevoltageVDS55V Drain-Sourceon-stateresistanceRDS(on)0.01? ContinuousdraincurrentID80A Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BUZ110SL	文件：121.06 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BV-SMAJ110A	文件：159.7 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMAJ110CA	文件：159.7 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMBJ110A	文件：164.57 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMBJ110CA	文件：164.57 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMCJ110A	文件：185.31 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMCJ110CA	文件：185.31 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMDJ110A	文件：182.2 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BV-SMDJ110CA	文件：182.2 Kbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressor	BencentShenzhen Bencent Electronics Co., Ltd. 檳城電子深圳市檳城電子股份有限公司	Bencent
BZT110	文件：162.33 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BZT110	文件：386.73 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarZenerDiodes	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH

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詳細參數(shù)

型號：
BSS110
功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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