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BSS110

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaTO-92variantpackage. FEATURES ?Lowthresholdvoltage ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?Highspeedswitching ?Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ?IntendedforuseasaLinecurrentinterruptorin telepho

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSS110

SIPMOS Small-Signal Transistor (P channel Enhancement mode Logic Level)

SIPMOS?Small-SignalTransistor ?Pchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?VGS(th)=-0.8...-2.0V

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BSS110

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisdesignedtominimizeon-stateresistance,provideruggedandreliableperformanceandfastswitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

BT110S

SurfaceMountGlassPassivatedBridgeRectifiers

HY

HY ELECTRONIC CORP.

BTS110

TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BTS110

TEMPFET(N-channelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BTS110

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BUZ110S

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtrated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ110S

SIPMOS?PowerTransistor

SIPMOSPowerTransistor ProductSummary DrainsourcevoltageVDS55V Drain-Sourceon-stateresistanceRDS(on)0.01? ContinuousdraincurrentID80A Features ?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?dv/dtrated ?175?Coperatingtemperature

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUZ110SL

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode ?LogicLevel ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?175°Coperatingtemperature ?alsoinSMDavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BSS110

  • 功能描述：

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon
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TO/92
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SIEMENS/西門子
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一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
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TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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FSC
22+
TO-92
6000
全新原裝品牌專營
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更多BSS110供應商 更新時間2025-3-18 14:21:00

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