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BQ4014YMB-120_集成電路（IC） 存儲器-德州儀器

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1+
  • 廠家型號：

    BQ4014YMB-120

  • 制造商：

    TI1/德州儀器

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    32-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-29 10:06:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號：BQ4014YMB-120品牌：Texas Instruments

資料說明：IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE

BQ4014YMB-120是集成電路（IC） > 存儲器。制造商TI1/德州儀器生產(chǎn)封裝32-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）的BQ4014YMB-120存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    bq4014ymb-120

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    TI1【德州儀器】詳情

  • 廠商全稱：

    Texas Instruments

  • 資料說明：

    IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BQ4014YMB-120

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    2Mb（256K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    120ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    32-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-DIP 模塊（18.42x52.96）

  • 描述：

    IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
TI
16+
原廠封裝
10000
全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢
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Texas Instruments
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32-DIP 模塊(18.42x52.96)
56200
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TI
20+
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Texas Instruments
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32-DIP 模塊(18.42x52
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TI/德州儀器
23+
DIP-32
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
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BENCHMARQ
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13352
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨
 詢價(jià)
Texas Instruments
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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TI
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32-DIP
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正品原裝貨價(jià)格低qq:2987726803
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Texas Instruments
23+
32-DIP 模塊18.42x52.96
7300
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
 詢價(jià)

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