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BQ4010MA-70_集成電路（IC） 存儲器-德州儀器

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1+
  • 廠家型號：

    BQ4010MA-70

  • 制造商：

    TI1/德州儀器

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-30 15:08:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：BQ4010MA-70品牌：Texas Instruments

資料說明：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

BQ4010MA-70是集成電路（IC） > 存儲器。制造商TI1/德州儀器生產(chǎn)封裝28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）的BQ4010MA-70存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    bq4010ma-70

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    TI1【德州儀器】詳情

  • 廠商全稱：

    Texas Instruments

  • 資料說明：

    IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BQ4010MA-70

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    64Kb（8K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    4.75V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-DIP 模塊（18.42x37.72）

  • 描述：

    IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
24+
WQFN36
6000
美國德州儀器TEXASINSTRUMENTS原廠代理輝華拓展內(nèi)地現(xiàn)
 詢價(jià)
TI
2017+
DIP-28
12890
原裝正品,誠信經(jīng)營
 詢價(jià)
TI
2021+
DIP
6800
原廠原裝,歡迎咨詢
 詢價(jià)
TI
23+
DIP
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
TI
16+
原廠封裝
10000
全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢
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TexasInstruments
24+
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100%原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,歡迎來電咨詢
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