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BQ4011YMA-70N_集成電路（IC） 存儲器-德州儀器

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1+
  • 廠家型號：

    BQ4011YMA-70N

  • 制造商：

    TI1/德州儀器

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 更新時間：

    2024-12-30 16:30:00

  • 詳細信息
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原廠料號：BQ4011YMA-70N品牌：Texas Instruments

資料說明：IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

BQ4011YMA-70N是集成電路（IC） > 存儲器。制造商TI1/德州儀器生產(chǎn)封裝28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）的BQ4011YMA-70N存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    bq4011yma-70n

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    TI1【德州儀器】詳情

  • 廠商全稱：

    Texas Instruments

  • 資料說明：

    IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    BQ4011YMA-70N

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP 模塊（0.61"，15.49mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-DIP 模塊（18.42x37.72）

  • 描述：

    IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TI
24+
4
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TI
23+
DIP
5000
原裝正品,假一罰十
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TI
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原廠封裝
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