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BGY888	文件：55 Kbytes Page：12 Pages	CATV amplifier module DESCRIPTION Hybridhighdynamicrangeamplifiermoduleoperatingwithavoltagesupplyof24VinaSOT115Jpackage.Thehighgainmoduleconsistsoftwocascadedstagesbothincascodeconfiguration. FEATURES ?Excellentlinearity ?Extremelylownoise ?Highgain ?Excellentreturnlosspr	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BGY888	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RF Manual 16th edition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BGY888_15	文件：65.269 Kbytes Page：12 Pages	860 MHz, 34 dB gain push-pull amplifier	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司	JMNIC
BGY888_2015	文件：65.269 Kbytes Page：12 Pages	860 MHz, 34 dB gain push-pull amplifier	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司	JMNIC
BLF888	文件：173.97 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BLF888	文件：435.75 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A500WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrialapplications.Thetransistorisoptimizedfordigitalapplicationsandcandeliver110WaverageDVB-TbroadbandoverthefullUHFbandfrom470MHzto860MHz.Theexcellentruggednessof	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888A	文件：443.34 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrialapplications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitterapplications. Featuresandbenefits ■Excellentruggedness(VSWR≥40:1througha	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BLF888A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888A	文件：1.53792 Mbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrial applications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalog transmitterapplications. Featuresandbenefits ?Excellentruggedness(VSWR?40:1through	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF888A(S)	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888AS	文件：443.34 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrialapplications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitterapplications. Featuresandbenefits ■Excellentruggedness(VSWR≥40:1througha	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BLF888AS	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888AS	文件：1.53792 Mbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrial applications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalog transmitterapplications. Featuresandbenefits ?Excellentruggedness(VSWR?40:1through	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF888B	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888B	文件：1.87329 Mbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A650WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrial applications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalog transmitterapplications. Featuresandbenefits ?Excellentruggedness ?Optimumthermalbeh	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF888B(S)	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888BS	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888BS	文件：1.87329 Mbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A650WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrial applications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalog transmitterapplications. Featuresandbenefits ?Excellentruggedness ?Optimumthermalbeh	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF888D	文件：1.07778 Mbytes Page：12 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcastDohertytransmitterapplications.The excellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitter applications. Featuresandbenefits ?Highefficiency ?Highpowergain ?Excellentruggedness(VSW	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon

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詳細參數(shù)

型號：
BGY888
功能描述：
射頻放大器 BULK CATV-MOD
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
類型：
Low Noise Amplifier
工作頻率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
P1dB：
18.5 dBm
輸出截獲點：
37.5 dBm
功率增益類型：
32 dB
噪聲系數(shù)：
0.85 dB
工作電源電壓：
5 V
電源電流：
125 mA
測試頻率：
2.6 GHz
最大工作溫度：
+ 85 C
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
QFN-16
封裝：
Reel

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