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BD135-10

Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

BD135-10

NPN power transistors

DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES ?Highcurrent(max.1.5A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BD135-10

NPN SILICON TRANSISTORS

NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BD135-10

NPN Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES ?Highcurrent ?ComplementtoBD136,BD138andBD140

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BD135-10

NPN Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES Highcurrent ComplementtoBD136,BD138andBD140

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

BD13510STU

Medium Power Linear and Switching Applications

Features ?ComplementtoBD136,BD138andBD140respectively Applications ?MediumPowerLinearandSwitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

BD13510STU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features ?ComplementtoBD136,BD138andBD140respectively Applications ?MediumPowerLinearandSwitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

BD135-16

NPN power transistors

DESCRIPTION NPNpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.PNPcomplements:BD136,BD138andBD140 FEATURES ?Highcurrent(max.1.5A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisioncircuits.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BD135-16

Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

BD135-16

NPN Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES Highcurrent ComplementtoBD136,BD138andBD140

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    BD106(A,B)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    36V

  • 最大電流允許值：

    2.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BD109,BD124,BD162,BD243,BDY15,3DA3A,

  • 最大耗散功率：

    11.5W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-8

  • vtest：

    36

  • htest：

    999900

  • atest：

    2.5

  • wtest：

    11.5

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BD1

  • 功能描述：

    DIP 開關(guān)/ SIP 開關(guān) STD PROFILE 10 POS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Omron Electronics

  • 位置數(shù)量：

    10

  • 開關(guān)類型：

    DIP

  • 執(zhí)行器：

    Rotary

  • 端子節(jié)距：

    2.54 mm

  • 端接類型：

    Solder Pin

  • 電流額定值：

    100 mA 電壓額定值

  • 安裝：

    Through Hole

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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