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BD135-6

Power Transistors NPN Silicon 45,60,80 Volts

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BD135-6

NPN Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES Highcurrent ComplementtoBD136,BD138andBD140

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

BD1356STU

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features ?ComplementtoBD136,BD138andBD140respectively Applications ?MediumPowerLinearandSwitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BD135G

Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium?powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features ?Pb?FreePackagesareAvailable ?DCCurrentGain?hFE=40(Min)@

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

BD135T

NPN Silicon Epitaxial Power Transistor

NPNSILICONEPITAXIALPOWERTRANSISTOR ThesedevicesaredesignedasAudioAmplifier andDriversUtilizing.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

BD135-TU

Marking：BD135；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES HighCurrent ComplementToBD136,BD138AndBD140

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

BD136

PNP power transistors

DESCRIPTION PNPpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.NPNcomplements:BD135,BD137andBD139. FEATURES ?Highcurrent(max.1.5A) ?Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS ?Generalpurposepowerapplications,e.g.driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisi

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BD136

PNP SILICON TRANSISTORS

Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BD136

Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

1.5AMPEREPOWERTRANSISTORSPNPSILICON45,60,80VOLTS10WATTS ...designedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. ?DCCurrentGain—hFE=40(Min)@IC=0.15Adc ?BD136,138,140arecomplementarywithBD135,137,139

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

BD136

PNP SILICON TRANSISTORS

POWERTRANSISTORSPNPSILICON

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

晶體管資料

  • 型號：

    BD106(A,B)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    36V

  • 最大電流允許值：

    2.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BD109,BD124,BD162,BD243,BDY15,3DA3A,

  • 最大耗散功率：

    11.5W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-8

  • vtest：

    36

  • htest：

    999900

  • atest：

    2.5

  • wtest：

    11.5

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    BD1

  • 功能描述：

    DIP 開關(guān)/ SIP 開關(guān) STD PROFILE 10 POS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Omron Electronics

  • 位置數(shù)量：

    10

  • 開關(guān)類型：

    DIP

  • 執(zhí)行器：

    Rotary

  • 端子節(jié)距：

    2.54 mm

  • 端接類型：

    Solder Pin

  • 電流額定值：

    100 mA 電壓額定值

  • 安裝：

    Through Hole

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