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BD135

NPN Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES ?Highcurrent ?ComplementtoBD136,BD138andBD140

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

BD135

NPN SILICON TRANSISTORS

NPNSiliconTransistors ForAFdriverandoutputstagesofmediumperformance

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BD135

Complementary low voltage transistor

Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BD135

NPN SILICON TRANSISTORS

Description TheseepitaxialplanartransistorsaremountedintheSOT-32plasticpackage.Theyaredesignedforaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasi-complementarycircuits.TheNPNtypesaretheBD135andBD139,andthecomplementaryPNPtypesaretheBD136andBD140. Fe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BD135

Complementary low voltage transistor

Features ■Productsarepre-selectedinDCcurrentgain Application ■Generalpurpose Description Theseepitaxialplanartransistorsaremountedin theSOT-32plasticpackage.Theyaredesigned foraudioamplifiersanddriversutilizing complementaryorquasi-complementarycircuits.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BD135

NPN Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES Highcurrent ComplementtoBD136,BD138andBD140

SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd.

順燁電子江蘇順燁電子有限公司

BD135

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

BD135

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES Powerdissipation PCM:1.25W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1.5A Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

BD135_V01

Complementary low voltage transistor

Features ■Productsarepre-selectedinDCcurrentgain Application ■Generalpurpose Description Theseepitaxialplanartransistorsaremountedin theSOT-32plasticpackage.Theyaredesigned foraudioamplifiersanddriversutilizing complementaryorquasi-complementarycircuits.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

BD135_V01

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES HighCurrent ComplementToBD136,BD138AndBD140

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BD106(A,B)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    36V

  • 最大電流允許值：

    2.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號(hào)：

    BD109,BD124,BD162,BD243,BDY15,3DA3A,

  • 最大耗散功率：

    11.5W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    E-8

  • vtest：

    36

  • htest：

    999900

  • atest：

    2.5

  • wtest：

    11.5

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BD1

  • 功能描述：

    DIP 開(kāi)關(guān)/ SIP 開(kāi)關(guān) STD PROFILE 10 POS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Omron Electronics

  • 位置數(shù)量：

    10

  • 開(kāi)關(guān)類(lèi)型：

    DIP

  • 執(zhí)行器：

    Rotary

  • 端子節(jié)距：

    2.54 mm

  • 端接類(lèi)型：

    Solder Pin

  • 電流額定值：

    100 mA 電壓額定值

  • 安裝：

    Through Hole

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多BD1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-27 16:30:00

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