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AUIRFR2307Z	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFR2307Z	文件：683.76 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRFR2307Z	文件：4.0903 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2307Z	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	Ultra Low On-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
AUIRFR2307Z	文件：4.111229 Mbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2307ZTR	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFR2307ZTRL	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFR2307ZTRR	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET? Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
BC2307	文件：1.37643 Mbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
CDK2307	文件：1.19338 Mbytes Page：16 Pages	Dual,20/40/65/80MSPS,12/13-bitAnalog-to-DigitalConverters	CADEKA Cadeka Microcircuits LLC.	CADEKA
CDK2307	文件：908.71 Kbytes Page：16 Pages	Dual,20/40/65/80MSPS,12/13-bitAnalog-to-DigitalConverters	EXARExar Corporation 艾科嘉艾科嘉（杭州）信息技術(shù)有限公司	EXAR
CEN2307A	文件：649.55 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307B	文件：485.15 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307BB	文件：536.15 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.4A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=108mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2307	文件：408.44 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.2A,RDS(ON)=78mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CES2307	文件：1.05094 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
CES2307A	文件：430.27 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.2A,RDS(ON)=78mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CES2307A	文件：610.2 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2307B	文件：500.36 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2307BB	文件：407.74 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.4A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=108mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AUIRFR2307Z
功能描述：
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司	AUIRFR2307Z	Infineon Technologies	23+	SOT-252	13000	15年原裝正品企業(yè)	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	AUIRFR2307Z	Infineon(英飛凌)	23+	TO-252	9908	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
深圳市達(dá)恩科技有限公司	AUIRFR2307Z	Infineon	18+	NA	3000	進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190	詢價(jià)
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更多AUIRFR2307Z供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 10:00:00

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