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APT18M100B

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT18M100B

N-Channel MOSFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT18M100B

N-Channel MOSFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT18M100B_09

N-Channel MOSFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT18M100S

N-ChannelMOSFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT18M100S

N-ChannelMOSFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    APT18M100B

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microchip Technology
24+
TO-247 [B]
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
Microsemi
23+
MOSFET
7750
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
APT
24+
TO-3P
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
MICROSEMI
638
原裝正品
 詢價
MIC
24+
TO-247
2050
公司大量全新原裝 正品 隨時可以發(fā)貨
 詢價
Microsemi
1942+
N/A
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MICROSEMI
1809+
TO-247
326
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APT
23+
TO-247B
10000
公司只做原裝正品
 詢價
Microsemi Corporation
22+
TO2473
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Microsemi Corporation
21+
TO2473
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
更多APT18M100B供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 14:14:00

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