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APT25GR120B

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

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Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT25GR120B

Package：TO-247-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 75A 521W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT25GR120BD15

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

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MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT25GR120BD15

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage ·HighFrequencySwitching ·UltraLowLeakageCurrent APPLICATIONS ·IndustrialPowerSupplies ·IndustrialDrives ·SolarInverters

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

APT25GR120BSCD10

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    APT25GR120B

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    3.2V @ 15V，25A

  • 開關能量：

    742μJ（開），427μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    16ns/122ns

  • 測試條件：

    600V，25A，4.3 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1200V 75A 521W TO247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Microchip Technology
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TO-247-3
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晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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