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APT25GN120BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

POWERMOS7?MOSFET PowerMOS7?isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7?bysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7?combineslowerconductionandswitchinglossesalon

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT25GN120BG

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT25GN120BG

Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT25GN120BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT25GN120BG

Power Semiconductors Power Modules

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT25GN120BG

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 1200V 67A 272W TO247

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

APT25GN120B

UtilizingthelatestFieldStopandTrenchGatetechnologies

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT25GN120B

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT25GN120S

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

APT25GN120S

UtilizingthelatestFieldStopandTrenchGatetechnologies

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT25GN120SG

UtilizingthelatestFieldStopandTrenchGatetechnologies

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT25GN120SG

IGBT

ADPOW

Advanced Power Technology

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    APT25GN120BG

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    2.15μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    22ns/280ns

  • 測試條件:

    800V,25A,1 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247 [B]

  • 描述:

    IGBT 1200V 67A 272W TO247

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICROSEMI
638
原裝正品
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Microch
20+
NA
33560
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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21+
15000
只做原裝
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更多APT25GN120BG供應商 更新時間2024-11-15 15:00:00