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AFGHL50T65SQD

Field Stop Trench IGBT 50A, 650V

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

AFGHL50T65SQD

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

AFGHL50T65SQDC

Hybrid IGBT, 50 A, 650 V

Usingthenovelfieldstop4thgenerationIGBTtechnologyandthe 1.5thgenerationSiCSchottkyDiodetechnology, AFGHL50T65SQDCofferstheoptimumperformancewithbothlow conductionandswitchinglossesforhighefficiencyoperationsin variousapplications,especiallytotempolebridgeless

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

AFGHL50T65SQDC_V01

Hybrid IGBT, 50 A, 650 V

Usingthenovelfieldstop4thgenerationIGBTtechnologyandthe 1.5thgenerationSiCSchottkyDiodetechnology, AFGHL50T65SQDCofferstheoptimumperformancewithbothlow conductionandswitchinglossesforhighefficiencyoperationsin variousapplications,especiallytotempolebridgeless

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

AFGHL50T65SQDC

Hybrid IGBT 50A, 650V

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

AFGHL50T65SQDC

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 650V A

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FGH50T65SQD

IGBT-FieldStop,Trench650V,50A

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FGH50T65UPD

IGBT-FieldStop,Trench650V,50A

Description UsinginnovativefieldstoptrenchIGBTtechnology, ONSemiconductor’snewseriesoffield?stoptrenchIGBTsoffer optimumperformanceforsolarinverter,UPS,welder,anddigital powergeneratorwherelowconductionandswitchinglossesare essential. Features ?MaximumJunctio

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FGH50T65UPD

650V,50AFieldStopTrenchIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FGHL50T65MQD

FieldStopTrenchIGBT650V,50A

Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologyandfull currentratedcopakDiodetechnology. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.45V(Typ.)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FGHL50T65MQDT

FieldStopTrenchIGBT650V,50A

Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologycopacked withfullratedcurrentdiode. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(Sat)=1.45V(Typ.)@IC=

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FGHL50T65SQDT

IGBT-FieldStop,Trench650V,50A

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MBQ50T65FESC

650VFieldStopIGBT

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MBQ50T65FESCTH

650VFieldStopIGBT

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

產品屬性

  • 產品編號：

    AFGHL50T65SQD

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，50A

  • 開關能量：

    950μJ（開），460μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    20ns/81ns

  • 測試條件：

    400V，50A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi/安森美
新批次
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4500
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onsemi(安森美)
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