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AFGY160T65SPD-B4

Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning 650 V, 160 A

Features ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?VeryLowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.6V(Typ.)@IC=160A ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175?C ?PositiveTemperatureCo?Efficient ?TightParameterDistribution ?HighInputImpedance ?100%ofthePartsareDynamicallyTes

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

AFGY160T65SPD-B4

Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

AFGY160T65SPD-B4

包裝：管件 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE

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AFGY160T65SPD-B4_V01

Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode and VCESAT, VTH Binning 650 V, 160 A

Features ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?VeryLowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.6V(Typ.)@IC=160A ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175?C ?PositiveTemperatureCo?Efficient ?TightParameterDistribution ?HighInputImpedance ?100%ofthePartsareDynamicallyTes

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產品屬性

  • 產品編號：

    AFGY160T65SPD-B4

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.05V @ 15V，160A

  • 開關能量：

    12.4mJ（開），5.7mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    53ns/98ns

  • 測試條件：

    400V，160A，5歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
 詢價
onsemi/安森美
新批次
TO-247
4500
詢價
ON/安森美
24+
TO-247-3
25500
授權代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售
 詢價
ON/安森美
23+
24000
原廠授權代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道?？商峁┐罅繋齑?詳
 詢價
ONSEMI
22
SOP12
1599000
全新、原裝
 詢價
ON/安森美
22+
24000
原裝正品現(xiàn)貨,實單可談,量大價優(yōu)
 詢價
ON/
24+
NA
5000
一級代理保證進口原裝正品現(xiàn)貨假一罰十價格合理
 詢價
ON Semiconductor
23+
SMD
190
全新原裝假一賠十
 詢價
ON/
24+
NA
5000
十年沉淀唯有原裝
 詢價
ON/
23+
NA
20000
詢價
更多AFGY160T65SPD-B4供應商 更新時間2024-10-30 16:59:00

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