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FGHL50T65MQDT

Field Stop Trench IGBT 650 V, 50 A

Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologycopacked withfullratedcurrentdiode. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(Sat)=1.45V(Typ.)@IC=

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGHL50T65MQDT

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGHL50T65MQDTL4

Field Stop Trench IGBT 650 V, 50 A

Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologycopacked withfullratedcurrentdiode. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(Sat)=1.45V(Typ.)@IC=

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGHL50T65MQDTL4

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-247-4 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

AFGHL50T65SQ

FieldStopTrenchIGBT50A,650V

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

AFGHL50T65SQD

FieldStopTrenchIGBT50A,650V

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

AFGHL50T65SQDC

HybridIGBT50A,650V

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

AFGHL50T65SQDC

HybridIGBT,50A,650V

Usingthenovelfieldstop4thgenerationIGBTtechnologyandthe 1.5thgenerationSiCSchottkyDiodetechnology, AFGHL50T65SQDCofferstheoptimumperformancewithbothlow conductionandswitchinglossesforhighefficiencyoperationsin variousapplications,especiallytotempolebridgeless

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGH50T65SQD

IGBT-FieldStop,Trench650V,50A

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGH50T65UPD

650V,50AFieldStopTrenchIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGH50T65UPD

IGBT-FieldStop,Trench650V,50A

Description UsinginnovativefieldstoptrenchIGBTtechnology, ONSemiconductor’snewseriesoffield?stoptrenchIGBTsoffer optimumperformanceforsolarinverter,UPS,welder,anddigital powergeneratorwherelowconductionandswitchinglossesare essential. Features ?MaximumJunctio

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGHL50T65MQD

FieldStopTrenchIGBT650V,50A

Fieldstop4thgenerationmidspeedIGBTtechnologyandfull currentratedcopakDiodetechnology. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175°C ?PositiveTemperatureCo?efficientforEasyParallelOperating ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.45V(Typ.)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGHL50T65SQDT

IGBT-FieldStop,Trench650V,50A

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MBQ50T65FESC

650VFieldStopIGBT

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MBQ50T65FESCTH

650VFieldStopIGBT

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGHL50T65MQDT

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.8V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    1.19mJ（開），630μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    21ns/90ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，50A，6 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
onsemi
21+
原廠封裝
450
保證原裝正品 深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ONSEMI
22+
SMD
44550
詢價(jià)
ON
23+
9000
全新、原裝
 詢價(jià)
ONN
2405+
原廠封裝
1240
只做原裝優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨庫(kù)存 渠道可追溯
 詢價(jià)
ON
24+
TO-247-3LD
25000
ON全系列可訂貨
 詢價(jià)
onsemi(安森美)
23+
TO2473LD
6000
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤
 詢價(jià)
24+
N/A
52000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢價(jià)
ON
2023
NA
15750
原廠代理渠道,正品保障
 詢價(jià)
onsemi
24+
TO-247-3
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
更多FGHL50T65MQDT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 8:12:00

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