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AFGHL40T120RW-STD	文件：530.06 Kbytes Page：8 Pages	IGBT – Power, Single, N-Channel, Field Stop VII (FS7), SCR, TO247-3L 1200 V, 1.67 V, 40 A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyin TO2473?leadpackage,thisdeviceoffersgoodperformancewithlow onstatevoltageandlowswitchinglossesforbothhardandsoft switchingtopologiesinautomotiveapplications. Features ?ExtremelyEfficientTrench	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T120SMD	文件：524.9 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop,Trench1200V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGHL40T120RWD	文件：449.43 Kbytes Page：9 Pages	IGBT–Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),SCR,TO247-3L1200V,1.5V,40A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473?leadpackage,FGHL40T120RWDoffersthe optimumperformancewithlowconductionlossesandgoodswitching controllabilityforahighefficiencyoperationinvariousapplications likemotorcontr	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGHL40T120SWD	文件：294.7 Kbytes Page：9 Pages	IGBT–Power,Co-PAKN-Channel,FieldStopVII(FS7),NonSCR,TO247-3L1200V,1.7V,40A Description Usingthenovelfieldstop7thgenerationIGBTtechnologyandthe Gen7DiodeinTO2473?leadpackage,FGHL40T120SWDoffersthe optimumperformancewithlowswitchingandconductionlossesforhigh efficiencyoperationsinvariousapplicationslikeSolar,UPSandESS. Features ?M	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGHL40T120SWD	文件：420.37 Kbytes Page：5 Pages	FieldStopIGBT DESCRIPTION ·HighCurrentCapability ·LowSwitchingLoss ·PositiveTemperatureCoefficientforEasyParallelOperation APPLICATIONS ·BoostandInverterinSolarApplications ·TUPS ·EnergyStorageSystem	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
H40T120	文件：360.16 Kbytes Page：14 Pages	SoftSwitchingSeries ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -SoftSwitchingApplications -InductionHeating ?TrenchStop? andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitchi	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGW40T120	文件：419.25 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBTinTrenchandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGW40T120	文件：356.88 Kbytes Page：13 Pages	LowLossIGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW40T120	文件：360.16 Kbytes Page：14 Pages	SoftSwitchingSeries ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -SoftSwitchingApplications -InductionHeating ?TrenchStop? andFieldstoptechnologyfor1200Vapplications offers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -easyparallelswitchi	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IHW40T120	文件：354.32 Kbytes Page：14 Pages	IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW40T120	文件：449.59 Kbytes Page：15 Pages	LOWLOSSDUOPACK:IGBTINTRENCHANDFIELDSTOPTECHNOLOGYWITHSOFT,FASTRECOVERYANTI-PARAALELEMCONHEDIODE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW40T120	文件：516.59 Kbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
K40T120	文件：516.59 Kbytes Page：16 Pages	IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
M40T120A	文件：238.57 Kbytes Page：5 Pages	TRIACs,40ASunbberless	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
M40T120A	文件：787.5 Kbytes Page：6 Pages	TRIACs	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
M40T120A-B	文件：787.5 Kbytes Page：6 Pages	TRIACs	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導(dǎo)體尼爾半導(dǎo)體股份有限公司	NELLSEMI
MBQ40T120FDS	文件：1.27912 Mbytes Page：8 Pages	HighspeedFieldStopTrenchIGBT GeneralDescription ThisIGBTisproducedusingadvancedMagnaChip’sField StopTrenchIGBTTechnology,whichprovideslowVCE(SAT), highswitchingperformanceandexcellentquality. ThisdeviceisforPFC,UPS&Inverterapplications. Features ?HighSpeedSwitching&LowPowerLoss ?VC	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MBQ40T120FDSTH	文件：1.27912 Mbytes Page：8 Pages	HighspeedFieldStopTrenchIGBT GeneralDescription ThisIGBTisproducedusingadvancedMagnaChip’sField StopTrenchIGBTTechnology,whichprovideslowVCE(SAT), highswitchingperformanceandexcellentquality. ThisdeviceisforPFC,UPS&Inverterapplications. Features ?HighSpeedSwitching&LowPowerLoss ?VC	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MBQ40T120FES	文件：1.31696 Mbytes Page：8 Pages	HighspeedFieldStopTrenchIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MBQ40T120FESTH	文件：1.31696 Mbytes Page：8 Pages	HighspeedFieldStopTrenchIGBT	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市恒科翔業(yè)電子有限公司	AFGHL40T65RQDN	ON/安森美	22+		24000	原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)	詢(xún)價(jià)
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更多AFGHL40T120RW-STD供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-30 15:00:00

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