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IKW40T120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKW40T120
廠商型號

IKW40T120
參數(shù)屬性

IKW40T120 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
功能描述

LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARAALEL EMCON HE DIODE
IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
文件大小

449.59 Kbytes
頁面數(shù)量

15 頁
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2024-12-24 23:00:00

IKW40T120規(guī)格書詳情

IKW40T120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW40T120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    IKW40T120FKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT，溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    6.5mJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    48ns/480ns

  • 測試條件：

    600V，40A，15 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 1200V 75A 270W TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
TO-247
928
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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23+
40A,1200V
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全新原裝假一賠十
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INFINEON
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TO-247
6000
全新原裝正品現(xiàn)貨,假一賠佰
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