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AFGB40T65SQDN	文件：310.98 Kbytes Page：10 Pages	IGBT for Automotive Applications, 650 V, 40 A, D2PAK Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175?C ?HighSpeedSwitchingSeries ?VCE(sat)=1.6V(Typ.)@IC=40A ?100%ofthePartareDynamicallyTested(Note1) ?AEC?Q101Qualified ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?AutomotiveOnBoard	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGB40T65SQDN	文件：271.44 Kbytes Page：9 Pages	IGBT for Automotive Applications, 650 V, 40 A, D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGB40T65SQDN_V01	文件：310.98 Kbytes Page：10 Pages	IGBT for Automotive Applications, 650 V, 40 A, D2PAK Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=175?C ?HighSpeedSwitchingSeries ?VCE(sat)=1.6V(Typ.)@IC=40A ?100%ofthePartareDynamicallyTested(Note1) ?AEC?Q101Qualified ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant TypicalApplications ?AutomotiveOnBoard	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65RQDN	文件：336.02 Kbytes Page：9 Pages	IGBTforAutomotiveApplication650V,40A UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof FS4IGBTsoffertheoptimumperformanceforautomotive applications.ThistechnologyisShortcircuitratedandoffershigh figureofmeritwithlowconductionandswitchinglosses. Features ?MaximumJunctionTemperature:TJ=17	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SPD	文件：455.16 Kbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V Description Usingthenovelfieldstop3rdgenerationIGBTtechnology, AFGHL40T65SPDofferstheoptimumperformancewithbothlow conductionlossandswitchinglossforahighefficiencyoperationin variousapplications,whichprovides50Vhigherblockingvoltage andruggedhighcurrentswi	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SPD	文件：407.28 Kbytes Page：10 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SQ	文件：255.16 Kbytes Page：8 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
AFGHL40T65SQD	文件：268.72 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT40A,650V	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGA40T65SHD	文件：228.39 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopTrenchIGBT650V,40A GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof fieldstop3rdgenerationIGBTsoffertheoptimumperformancefor solarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFCapplicationswhere lowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?MaximumJunc	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGB40T65SP	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGB40T65SPD	文件：370.79 Kbytes Page：3 Pages	Field-StopTrenchIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=40A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·MotorDriver ·AutomotiveChargers ·OnboardCharge ·AirConCompressor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FGB40T65SPD	文件：946.61 Kbytes Page：11 Pages	FieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SH	文件：480.04 Kbytes Page：8 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SHD	文件：1.27362 Mbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SHDF	文件：503.73 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop3rdgenerationIGBTsoffersuperiorconduction andswitchingperformanceandeasyparalleloperation.Thisdevice iswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicationsuchas inductionhea	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SPD	文件：585.45 Kbytes Page：9 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SQD	文件：671.38 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop,Trench650V,40A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’snew seriesoffieldstop4thgenerationIGBTsoffertheoptimum performanceforsolarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?MaxJuncti	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65SQD	文件：937.77 Kbytes Page：11 Pages	650V,40AFieldStopTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FGH40T65UPD	文件：308.16 Kbytes Page：10 Pages	650V,40AFieldStopTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGH40T65UPD	文件：366.77 Kbytes Page：3 Pages	Field-StopTrenchIGBT DESCRIPTION ·HighInputImpedance ·HighCurrentCapabilityt ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.65V(Typ.)@IC=40A APPLICATIONS ·SolarInverter,UPS,Welder,DigitalPowerGenerator ·Telecom,ESS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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深圳市高捷芯城科技有限公司	AFGB40T65SQDN	onsemi(安森美)	23+	D2PAK	1471	原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	AFGB40T65SQDN	onsemi	24+	TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
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更多AFGB40T65SQDN供應(yīng)商更新時間2025-1-4 8:12:00

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