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AFGHL40T65SQD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

AFGHL40T65SQD
廠商型號

AFGHL40T65SQD
參數(shù)屬性

AFGHL40T65SQD 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE
功能描述

Field Stop Trench IGBT 40A, 650V
AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE
文件大小

268.72 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊到原廠下載
更新時(shí)間

2024-11-7 23:00:00

AFGHL40T65SQD規(guī)格書詳情

AFGHL40T65SQD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的AFGHL40T65SQD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    AFGHL40T65SQD

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    250μJ（開），90μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    15ns/70ns

  • 測試條件：

    400V，20A，6歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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