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AFGB20N60SFD

Using novel field?stop IGBT technology

Features ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A ?HighInputImpedance ?FastSwitching ?AEC?Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

AFGB20N60SFD-BW

Using novel field?stop IGBT technology

Features ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A ?HighInputImpedance ?FastSwitching ?AEC?Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements ?TheseDevicesarePb?FreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

AIKB20N60CT

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIKP20N60CT

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlleddiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIKW20N60CT

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AOK20N60

600V,20AN-ChannelMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOK20N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.37Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOK20N60L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

AOK20N60L

600V,20AN-ChannelMOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體

AOT20N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
ON/安森美
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更多AFGB20N60SFD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-8 10:00:00

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