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AD648CQ	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648J	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648JCHIPS	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
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AD648KN	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648KR	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
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AD648S	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648SCHIPS	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648SQ	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648T	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ARF648	文件：80.72 Kbytes Page：4 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE Repetitivevoltageupto2500V Meanforwardcurrent2510A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BD648	文件：114.77 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD648	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BD648	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BD648	文件：452.78 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ?DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649ANDBD651 ?62.5Wat25°CCaseTemperture ?8AContinuousCollectorCurrent ?MinimumhFEof750at3V,3A	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BD648	文件：150.96 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINN Power Innovations Ltd	POINN

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
AD648CH
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	AD648CH	ADI(亞德諾)	23+	SOIC-8	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	AD648CH	AD	24+	CAN8	349		詢價(jià)
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深圳市億智騰科技有限公司	AD648CH	AD	24+	CAN8	6430	原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢	詢價(jià)
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更多AD648CH供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-16 16:12:00

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