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AD648JR	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648JR-REEL	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	Dual Precision, Low Power BiFET Op Amp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
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AD648KR	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
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AD648S	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648SCHIPS	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648SQ	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AD648T	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400μAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ARF648	文件：80.72 Kbytes Page：4 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE Repetitivevoltageupto2500V Meanforwardcurrent2510A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BD648	文件：114.77 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD648	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
BD648	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國(guó)西門子股份公司	SIEMENS
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BD648	文件：150.96 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD648	文件：94.37 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD648	文件：108.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BD648	文件：369.32 Kbytes Page：5 Pages	SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor	COMSET

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AD648JR
制造商：
Analog Devices
功能描述：
OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC N
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
LOW POWER DUAL OP AMP IC - Bulk
功能描述：
IC OP-AMP DUAL BIFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多AD648JR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-29 9:12:00

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